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防微振技術(shù)在電子工業(yè)尤其是微電子產(chǎn)品制造及應(yīng)用中十分重要。現(xiàn)今的硅集成電路的晶圓直徑已達到300-450mm，芯片特征尺寸（線寬）納米級別的產(chǎn)品已經(jīng)批量生產(chǎn)，在晶圓片加工過程中需要經(jīng)過數(shù)百道物理或者化學(xué)的加工工序，晶圓在這些工序的制造過程中，如果被污染或者因微振動發(fā)生偏差，就會影響產(chǎn)品質(zhì)量，降低產(chǎn)品的成品率甚至不能生產(chǎn)出合格的產(chǎn)品。如光刻工序，若因晶圓制造的模塊化潔凈室設(shè)計不當(dāng)，出現(xiàn)微振動，可能使對焦不準(zhǔn)、曝光后的線條模糊，降低產(chǎn)品質(zhì)量。
此外，感光膠片生產(chǎn)過程的涂布工序、慣性制導(dǎo)技術(shù)、精 密機械加工、光學(xué)器件檢測、激光實驗、超薄金屬軋制以及理化實驗等場所都需要對微振動進行控制。
在建設(shè)模塊化潔凈室（無塵車間）之時，就要避開強振源。如果潔凈室內(nèi)設(shè)置的各種類型的公用動力設(shè)備等振源，若有可能對潔凈室內(nèi)有防微振要求的精 密設(shè)備及儀器產(chǎn)生振動影響時，應(yīng)根據(jù)防微振要求采取主動隔振措施；
當(dāng)建筑結(jié)物采取了防微振措施，模塊化潔凈室（無塵車間）內(nèi)的相關(guān)公用動力設(shè)備也采取了主動隔振措施后仍不能滿足該潔凈室內(nèi)設(shè)置的精 密設(shè)備及儀器的防微振要求時，則應(yīng)對精 密設(shè)備及儀器采取被動隔振措施。
所主動隔振，通常定義為為減小動力設(shè)備等產(chǎn)生的振動對外界環(huán)境的影響面對其采取的隔振措施，有時稱為主動隔振施；
被動隔振，定義為為減小環(huán)境振動對精 密設(shè)備及儀器的影響，對精 密設(shè)備及儀器采取的隔振措施，有時也稱為被動隔振。
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